電子元器件
第三方試驗(yàn)服務(wù)平臺(tái)??
可靠性試驗(yàn)測(cè)試驗(yàn)證服務(wù)
■ 完整試驗(yàn)項(xiàng)目
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高溫反偏試驗(yàn) HTRB | 溫度范圍 ：室溫~200℃ 最高反偏電壓 ：8000V |
高溫柵偏試驗(yàn) HTGB | 溫度范圍 ：室溫~200℃ 最高柵偏電壓 ：100V |
高溫高濕偏置試驗(yàn) H3TRB | 溫度/濕度范圍 ：-20℃~150℃ / 25~98%RH 最高反偏電壓 ：2000V |
高加速應(yīng)力壽命試驗(yàn) B-HAST(帶載) | 溫度/濕度范圍 ：110℃~130℃ / 75%RH~100%RH 氣壓范圍 ：230kPa 最高反偏電壓 ：1000V |
動(dòng)態(tài)高溫偏置試驗(yàn) DHTRB / DHTGB | 溫度范圍 ：室溫~175℃ 最高偏置電壓 ：1000V；速率：≥100V/nS（空載）DHTRB ±30V；速率：≥3V/nS（空載）DHTGB 最高反偏電壓 ：25~50KHz（DHTRB）；200KHz（DHTGB） |
功率循環(huán)試驗(yàn) （秒級(jí)/分鐘級(jí)） Power Cycling | 電壓 ：≤20V 電流 ：20~3000A |
間歇工作壽命 IOL | 電壓 ：≤40V 電流 ：≤100A 溫度 ：室溫 25℃±5℃ |
高溫工作壽命測(cè)試 (集成電路) HTOL-IC | 電壓 ：0-40V 電流 ：0-10.0A 溫度 ：室溫~150℃ 數(shù)字信號(hào) ：128路20M 模擬信號(hào) ：4路2M |
高溫工作壽命測(cè)試 (分立器件) HTOL-Discrete Device | 功率 ：≤10W(小功率) / ≤200W(大功率)控殼溫+水冷卻 電流 ：≤5.0A(小功率) / ≤15.0A(大功率) 電壓 ：≤200V |
帶載溫度循環(huán) PTC | 功率 ：0-100w 溫度 ：-65~180℃ 快速溫變 ：-45~150℃ |
高加速應(yīng)力壽命試驗(yàn)系統(tǒng)
BHAST
高溫高濕偏置試驗(yàn)系統(tǒng)
H3TRB
高溫柵偏試驗(yàn)系統(tǒng)
HTGB
高溫反偏試驗(yàn)系統(tǒng)
HTRB
間歇工作壽命試驗(yàn)系統(tǒng)
IOL
高溫工作壽命試驗(yàn)系統(tǒng)
HTOL
功率循環(huán)試驗(yàn)系統(tǒng)
Power Cycling
恒定濕熱試驗(yàn) Constant Temperature& Constant Humidity | 溫度 ：-65℃～150℃ 濕度 ：30%RH～98%RH |
高加速溫濕度應(yīng)力 (U-HAST) Accelerated Moisture Resistance -Unbiased | 溫度 ：≤300℃ 濕度 ：85%RH 壓力 ：122KPa / 230kPa |
溫度沖擊試驗(yàn) (TST) Temperature ShockTesting | 低溫區(qū)范圍 ： -20℃～-65℃ 測(cè)試區(qū)范圍 ：-55℃～+150℃ 高溫區(qū)范圍 ： +60℃～+175℃ 溫度波動(dòng)度 ： 0.5℃ 恢復(fù)時(shí)間 ： 3分鐘 轉(zhuǎn)換時(shí)間 ： ≤5秒 |
溫度循環(huán)（TC） Temperature Cycling | 溫度 ：-65℃～150℃ |
高溫試驗(yàn) (HTSL) High Temperature Storage Life | 溫度 ：≤300℃ |
低溫試驗(yàn) (LTSL) Low Temperature Storage Life | 溫度 ：≥-65℃ |
高壓蒸煮 (PCT) Accelerated Moisture Resistance-UnbiasedAutoclave | 溫度 ：121℃ 濕度 ：100%RH 壓力 ：205kPa |
高加速應(yīng)力試驗(yàn)箱
HAST
高壓蒸煮試驗(yàn)箱
PCT
溫度沖擊試驗(yàn)箱
TST
高溫高濕試驗(yàn)箱
HT&HH
溫度循環(huán)試驗(yàn)箱
TC / LTSL / HTSL
高溫試驗(yàn)箱
HTSL
設(shè)備規(guī)格 低壓36V 0-2000A可選， 高壓1K/50mA；2KV/10mA 3KV/10mA；6KV/10mA。 | 高品質(zhì)控制 DPAT或者FPAT測(cè)試 |
限壓限流 限壓限流功能， 有效保護(hù)DUT及測(cè)試座 | 欠壓 欠流 Bias check 監(jiān)控保護(hù) |
Low RDON 測(cè)量精度<30uv 滿足SiC GaN三代半測(cè)試 | 測(cè)試防呆 每個(gè)lot 自動(dòng)自檢測(cè)試機(jī)的輸出 和測(cè)量自動(dòng)監(jiān)控測(cè)試機(jī)的狀態(tài) |
校準(zhǔn)自檢 Keysight第三方儀表校 | 數(shù)據(jù)整合 多工位測(cè)試功能的datalog sum mary 數(shù)據(jù)整合測(cè)試程序合并 或者整合第三方測(cè)試模塊 |
功能開發(fā) 準(zhǔn)響應(yīng)客戶需求， 進(jìn)行二次開發(fā) | 精度 輸出或者測(cè)量 0.5%+ 檔位0.04%+1mv 精度 輸出或者測(cè)量 0.5%+ 檔位0.04%+3nA |
閾值電壓 V(th). Vge(th) | 擊穿電壓 BVds. BVces |
傳輸特征 Id-Vgs. Ic-Vge. gfs | 柵極電荷 Qg. Qg(th). Qgs. Qgd. Qsw. Qsync |
導(dǎo)通電阻 Rds-on. Vce(sat) | 柵極電阻 Rg |
柵極泄漏電流 Igss, Iges | 器件電容 Ciss. Coss. Coss_eff. Crss. Cgs.Cgd. Cies. Coes. Cres |
輸出泄漏電流 Idss, Ices | 切換參數(shù) Td (通)、Td(斷)、Tr、 Tf；計(jì)算值。 |
輸出特征 Id-Vds. Ic-Vce | 切換損耗 特定頻率上的驅(qū)動(dòng)損耗 /切換損耗特定 占空比下的傳導(dǎo)損耗 |
QT-4100(PowerTECH)
可測(cè)試二極管、三極管、MOSFET（SIC GaN）、 IGBT、可控硅、LDO、自觸發(fā)二極管、光耦、IGBT模塊等直流參數(shù)測(cè)試等。
■ 基于新一代硬件平臺(tái)研發(fā)的物聯(lián)平臺(tái)，App.Web.Saas，客戶可使用各種終端設(shè)備
遠(yuǎn)程/實(shí)時(shí)監(jiān)控/各項(xiàng)試驗(yàn)數(shù)據(jù)。
終端在手，試驗(yàn)隨時(shí)掌控
